MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器

標(biāo)題：MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器

產(chǎn)品概述

PT124G-3500-55/55D系列MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
傳感器具有超高過壓性能及良好的溫度補償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應(yīng)性，可廣泛用于各類工控環(huán)境。

單晶硅差壓傳感器特點：

1.采用進(jìn)口FST單晶硅MEMS芯片進(jìn)行封裝，產(chǎn)品具有超高精度，可達(dá)0.04%FS
2.具有優(yōu)異的過壓性能
3.可用于負(fù)壓力測量
4.智能靜壓補償和溫度補償，環(huán)境適應(yīng)性強

單晶硅差壓傳感器技術(shù)規(guī)格：

差壓傳感器尺寸圖